个人简介：
金敏，男，1982年生，博士，上海电机学院教授。上海市优秀学术带头人、上海市曙光学者、上海市特聘教授（东方学者）。长期从事半导体晶体材料研究，在Science、Nat Mater、Nat. Commun.、ACS Energy Lett.、Nano Energy等期刊上发表论文100余篇，申请专利20余项，合作出版专著一本，主持和参与科研项目20余项。曾获中华人民共和国教育部科技成果完成者证书、中国石油和化学工业优秀出版物二等奖，第一/二届全国人工晶体青年学术会议优秀青年奖。
研究方向：
主要开展新型半导体材料开发与应用研究，重点包括：（1）无机半导体功能晶体生长。开展半导体晶体生长关键设备研制与升级，解决二维结构范德华半导体、热电半导体等新型半导体材料晶体生长难题。（2）新型无机柔塑性半导体功能材料研发。围绕新型无机柔塑性半导体性能协同优化和器件研制等内容，开发兼具良好塑性和特定物理性能的新型无机半导体材料，探索在柔性和微型半导体器件等领域的应用。（3）微重力环境晶体生长研究。通过抑制重力效应制备地面无法得到的高性能材料，研究地面重力效应掩盖的物理现象，指导地面晶体生长工艺优化改进。
主要成果：
一、超柔性半导体材料研究新突破。在Science (2020, 369: 542-545)期刊发表重要论文，报道发现一种块状超塑性InSe半导体晶体，它具有类似石墨烯的力学性能，同时弥补了石墨烯没有半导体带宽的缺点。该工作入选2020年度上海市科技进步报告“基础研究成果国际影响力显著提升”板块。
二、中国空间站材料科学研究。在中国空间站开展InSe半导体制备研究，获得了高质量晶体材料，相关成果得到CCTV-1《天宫课堂》、CCTV-3《焦点访谈》、CCTV-10《透视新科技》、CCTV-12《经济半小时》及人民日报等媒体报道，在国际上形成重要影响力。
三、半导体材料制备技术创新及产业化。突破国外技术垄断，自主开发了一种多坩埚下降法技术生长 GaAs晶体，相关技术经中科院上海科技查新中心检索认定属国际先进水平。该成果入选上海功能晶体研发与转化平台，成为了上海科创中心的建设内容。