近日，我校材料学院功能材料团队与华东师范大学褚君浩院士团队合作，在国际顶级期刊Nature communications上发表了题为《Sliding ferroelectricity in van der Waals layered γ-InSe semiconductor》的研究论文。该工作报道了层状Y掺杂InSe半导体晶体中非常规的面外和面内室温铁电现象，为开发下一代纳米铁电器件提供了新的候选材料。
该工作的研究对象Y掺杂InSe晶体由上海电机学院制备完成。InSe晶体生长难度高，主要在于Se元素易挥发、In和Se结合可形成5-6种不同成分化合物以及In-Se二元体系存在复杂包晶反应等。针对这些问题，我校功能材料团队在系统研究材料体系相组成和析晶行为的基础上，设计了合适的组分配方，解决了InSe原料合成、下降法晶体生长技术等一系列关键技术难点，通过优化晶体生长参数，成功生长出了高质量、化学计量比可控的Y掺杂InSe单晶，为下一步材料铁电物理性能分析奠定了重要基础。
该工作得到了国家自然科学基金和上海市教委“曙光计划”等项目的支持。
文章链接：https://www.nature.com/articles/s41467-022-35490-0
