答辩时间:2025年12月30日09:00
答辩地点:电气楼401室
序号 | 学生姓名 | 论文题目 |
1 | 王世杰 | ZnIn2S4基中间带半导体设计及其缺陷性质研究 |
2 | 袭祥涞 | n-p共掺杂构建铟硫基中间带半导体的第一性原理研究 |
3 | 陈思 | 基于pvdf压电传感器的设计与性能研究 |
4 | 葛泽文 | PVDF基复合薄膜的制备及多功能特性研究 |
5 | 张敬菲 | 纳米材料填充聚合物的特性研究 |
答辩时间:2025年12月30日09:00
答辩地点:电气楼401室
序号 | 学生姓名 | 论文题目 |
1 | 王世杰 | ZnIn2S4基中间带半导体设计及其缺陷性质研究 |
2 | 袭祥涞 | n-p共掺杂构建铟硫基中间带半导体的第一性原理研究 |
3 | 陈思 | 基于pvdf压电传感器的设计与性能研究 |
4 | 葛泽文 | PVDF基复合薄膜的制备及多功能特性研究 |
5 | 张敬菲 | 纳米材料填充聚合物的特性研究 |
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