答辩时间：2026年1月5日13：00
答辩地点：科技创新楼B210
序号 | 学生姓名 | 论文题目 |
1 | 闫意 | 元素Te热电材料的制备和性能优化研究 |
2 | 师千惠 | Cd掺杂InSb晶体生长及热电性能研究 |
3 | 顾海涛 | Y掺杂InSe晶体生长及性能研究 |
4 | 邵展 | GeSe基热电材料制备及性能研究 |
5 | 陈浩 | GeTe晶体生长及热电性能研究 |
6 | 罗跃 | Mg3Bi2基材料的热电及力学性能研究 |
答辩时间：2026年1月5日13：00
答辩地点：科技创新楼B210
序号 | 学生姓名 | 论文题目 |
1 | 闫意 | 元素Te热电材料的制备和性能优化研究 |
2 | 师千惠 | Cd掺杂InSb晶体生长及热电性能研究 |
3 | 顾海涛 | Y掺杂InSe晶体生长及性能研究 |
4 | 邵展 | GeSe基热电材料制备及性能研究 |
5 | 陈浩 | GeTe晶体生长及热电性能研究 |
6 | 罗跃 | Mg3Bi2基材料的热电及力学性能研究 |
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